Фторопласт листовой 3х250х250 мм Ф4 ТУ 6-05-810-88

При одинаковой удельной статической нагрузке лист фторопласта Ф-4 большей толщины (например, 20 мм) будет иметь большую абсолютную деформацию по сравнению с листом меньшей толщины (например, 5 мм). Относительная деформация и ползучесть являются внутренними свойствами материала и проявляются в обоих случаях.

Прочность на разрыв листового фторопласта Ф-4 существенно зависит от температуры. При понижении температуры, вплоть до криогенных значений, прочность материала возрастает. С повышением температуры прочность снижается: если при 20°С она составляет 15-35 МПа, то при 250°С падает до 5-7 МПа.

Фторопласт-4 листовой обладает исключительной химической стойкостью к концентрированной серной кислоте (98%) при температурах до 250°С. Он не набухает, не растворяется и не деградирует, что делает его оптимальным для футеровок и уплотнений в данной среде.

Листовой фторопласт-4 регламентируется ГОСТ 10007-80 «Фторопласт-4. Технические условия». Данный стандарт определяет технические требования к порошкам, гранулам, заготовкам (включая стержни и листы) и изделиям из фторопласта-4, включая их основные свойства.

Минимальная толщина листового фторопласта Ф-4, получаемого методом прессования, обычно составляет 0.5-1.0 мм. Более тонкие пленки (толщиной от нескольких микрометров) изготавливаются методами строгания из прессованных заготовок или каландрованием суспензионного фторопласта.

Фторопласт Ф-4 листовой, соответствующий установленным санитарным нормам, допускается к применению в контакте с пищевыми жирами при температуре до 120°С благодаря его химической инертности. Возможно незначительное поверхностное поглощение жиров, что может потребовать тщательной очистки изделий.

Фторопласт Ф-4 листовой обладает хорошей стойкостью к диметилформамиду (ДМФА) при температуре 50°С. При длительном контакте возможно незначительное набухание материала, однако без химического разрушения его структуры. Рекомендуется проведение предварительного тестирования для конкретных условий эксплуатации.